40kW SiC héich Effizienz DC EV Opluedstatioun Modul

SiC Héicheffizienz Opluedmodul ass héich potenziell well d'Nofro fir Héichspannungsschnellladung eropgeet No der Porsche Weltpremière vum 800V Héichspannungsplattform Modell Taycan am September 2019, hunn grouss EV Firmen 800V Héichspannungsschnellladungsmodeller verëffentlecht, wéi Hyundai IONIQ, Lotus Eletre, BYD Dolphin, Audi RS e-tron GT, etc. All sinn geliwwert oder Mass Produktioun an dësen zwee Joer. 800V Schnellladung gëtt de Mainstream um Maart; CITIC Securities prognostizéiert datt bis 2025 d'Zuel vun den Héichspannungsschnellladungsmodeller 5,18 Millioune wäert erreechen, an d'Penetratiounstaux wäert vun der aktueller liicht iwwer 10% op 34% eropgoen. Dëst wäert de Kär dreiwend Kraaft fir de Wuesstum vum Héichspannungsschnellladungsmaart ginn, an Upstream Firmen ginn erwaart direkt dovunner ze profitéieren. Laut ëffentlechen Informatioun ass de Lademodul de Kärkomponent vum Opluedstéck, deen ongeféier 50% vun de Gesamtkäschte vum Opluedstéck ausmécht; dorënner, de semiconductor Muecht Apparat Konte fir 30% vun der Opluedstatiounen Modul Käschten, dat ass, de semiconductor Muecht Modul Konte fir ongeféier 15% vun der Opluedstatioun Koup Käschten, wäert den Haapt Beneficiaire Kette am Entwécklungsprozess vun der Opluedstatiounen Maart ginn. . Am Moment sinn d'Kraaftgeräter, déi an Opluedstécker benotzt ginn, haaptsächlech IGBTs a MOSFETs, déi allebéid Si-baséiert Produkter sinn, an d'Entwécklung vun Opluedstécker op DC Schnellladung huet méi héich Ufuerderunge fir Kraaftapparater virgestallt. Fir den Auto ze lueden sou séier wéi tanken op enger Tankstell, sichen d'Automobilisten aktiv Materialien déi d'Effizienz verbesseren, a Siliziumkarbid ass de Moment de Leader. Silicon Carbide huet d'Virdeeler vun héich Temperatur Resistenz, héich Drock Resistenz, héich Muecht, etc., déi Energie Konversioun Effizienz verbesseren kann an Produit Volume reduzéieren. Déi meescht elektresch Gefierer benotzen onboard AC Opluedschemaen, déi e puer Stonnen daueren fir voll ze laden. Mat héijer Kraaft (wéi 30kW a méi héich) fir séier Laden vun elektresche Gefierer ze realiséieren ass déi nächst wichteg Layoutrichtung vun Opluedstécker ginn. Trotz de Virdeeler mat High-Power Opluedstécker bréngt et och vill Erausfuerderungen, wéi: d'Notzung fir High-Power High-Frequenz-Schaltoperatiounen ze realiséieren, an d'Hëtzt generéiert duerch Konversiounsverloschter. Wéi och ëmmer, SiC MOSFET an Diode Produkter hunn d'Charakteristike vun Héichspannungsresistenz, Héichtemperaturresistenz, a séier Schaltfrequenz, déi gutt an Opluedstéckmoduler benotzt kënne ginn. Am Verglach mat traditionelle Silizium-baséiert Geräter kënnen Siliziumkarbidmoduler d'Ausgangskraaft vun Opluedstécker ëm bal 30% erhéijen, a Verloschter ëm sou vill wéi 50% reduzéieren. Zur selwechter Zäit kënnen Siliziumkarbid-Geräter och d'Stabilitéit vun de Ladestapel verbesseren. Fir Opluedstécker sinn d'Käschte nach ëmmer ee vun de wichtege Faktoren, déi d'Entwécklung beschränken, sou datt d'Kraaftdicht vun den Opluedstécker ganz wichteg ass, a SiC-Geräter sinn de Schlëssel fir eng héich Kraaftdicht z'erreechen. Als Héichspannungs-, Héichgeschwindeg- an Héichstroum-Apparat vereinfachen Siliziumkarbid-Geräter d'Circuitstruktur vum DC-Stapel-Lademodul, erhéijen d'Eenheetkraaftniveau, a wesentlech d'Kraaftdicht erhéijen, wat de Wee mécht fir d'Reduktioun vum System Käschten vum Opluedstéck. Aus der Perspektiv vu laangfristeg Käschten an Notzungseffizienz, High-Power Opluedstécker mat SiC-Geräter wäerten enorm Maartméiglechkeeten ubidden. Laut CITIC Securities Daten ass de Moment d'Penetratiounsquote vu Siliziumkarbidgeräter an neien Energiegefierer Opluedstécker nëmmen ongeféier 10%, wat och e grousse Raum fir High-Power Opluedstéck léisst. Als féierende Fournisseur an der DC Opluedindustrie huet MIDA Power de Lademodulprodukt mat héchster Kraaftdicht entwéckelt a verëffentlecht, den éischten IP65 Schutzniveau Lademodul mat onofhängeger Loftkanaltechnologie. Mat engem staarken R&D Team a Maartorientéierte Prinzip huet MIDA Power vill Effort gewidmet an erfollegräich den 40kW SiC Héicheffizienz Opluedmodul entwéckelt. Mat enger atemberaubender Peakeffizienz vu méi wéi 97% a super breet Input Spannungsbereich vun 150VDC bis 1000VDC, entsprécht den 40kW SiC Lademodul bal all Inputnormen op der Welt wärend et dramatesch Energie spuert. Mat dem schnelle Wuesstum vun der Unzuel vun Opluedstécker gëtt ugeholl datt SiC MOSFETs, a MIDA Power 40kW SiC Opluedmodul ëmmer méi dacks am Ladestapel benotzt ginn, déi méi héich Kraaftdicht an Zukunft erfuerderen.