40 კვტ SiC მაღალი ეფექტურობის DC EV დამუხტვის მოდული

SiC მაღალი ეფექტურობის დატენვის მოდული ძალიან პოტენციურია, რადგან მოთხოვნა მაღალი ძაბვის სწრაფ დამუხტვაზე იზრდება 2019 წლის სექტემბერში Porsche-ს მიერ 800 ვოლტიანი მაღალი ძაბვის პლატფორმის მოდელის Taycan-ის მსოფლიო პრემიერის შემდეგ, დიდმა ელექტრომობილებმა გამოუშვეს 800 ვ მაღალი ძაბვის სწრაფი დატენვის მოდელები, როგორიცაა Hyundai IONIQ, Lotus Eletre, BYD Dolphin, Audi RS e-tron GT და ა.შ. ყველა მიწოდებულია ან მასობრივი წარმოება ხდება ამ ორ წელიწადში. 800V სწრაფი დამუხტვა ხდება მეინსტრიმი ბაზარზე; CITIC Securities პროგნოზირებს, რომ 2025 წლისთვის მაღალი ძაბვის სწრაფი დამუხტვის მოდელების რაოდენობა 5.18 მილიონს მიაღწევს, ხოლო შეღწევადობის კოეფიციენტი გაიზრდება არსებულიდან ოდნავ მეტი 10%-დან 34%-მდე. ეს გახდება მთავარი მამოძრავებელი ძალა მაღალი ძაბვის სწრაფი დატენვის ბაზრის ზრდისთვის და მოსალოდნელია, რომ ზემო დინებაში კომპანიები პირდაპირ სარგებელს მიიღებენ მისგან. საჯარო ინფორმაციის მიხედვით, დამტენის მოდული არის დამტენის წყობის ძირითადი კომპონენტი, რომელიც შეადგენს დამტენის წყობის მთლიანი ღირებულების დაახლოებით 50%-ს; მათ შორის ნახევარგამტარული დენის მოწყობილობა შეადგენს დამტენის მოდულის ღირებულების 30%-ს, ანუ ნახევარგამტარული დენის მოდული შეადგენს დამტენის წყობის ღირებულების დაახლოებით 15%-ს, გახდება მთავარი ბენეფიციარი ჯაჭვი დამტენის წყობის ბაზრის განვითარების პროცესში. . ამჟამად, დამუხტვის წყობებში გამოყენებული დენის მოწყობილობები ძირითადად არის IGBT და MOSFET, ორივე არის Si-ზე დაფუძნებული პროდუქტი, და დამტენის წყობის განვითარება DC სწრაფ დამუხტვაზე უფრო მაღალი მოთხოვნები წამოაყენა ენერგეტიკული მოწყობილობებისთვის. იმისათვის, რომ მანქანის დატენვა ისეთივე სწრაფად მოხდეს, როგორც ბენზინგასამართ სადგურზე საწვავის შევსება, ავტომწარმოებლები აქტიურად ეძებენ მასალებს, რომლებსაც შეუძლიათ გააუმჯობესონ ეფექტურობა და ამჟამად ლიდერია სილიციუმის კარბიდი. სილიციუმის კარბიდს აქვს მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობის, მაღალი წნევის წინააღმდეგობის, მაღალი სიმძლავრის და ა.შ. უპირატესობა, რამაც შეიძლება გააუმჯობესოს ენერგიის კონვერტაციის ეფექტურობა და შეამციროს პროდუქტის მოცულობა. ელექტრო სატრანსპორტო საშუალებების უმეტესობა იყენებს შიდა AC დამუხტვის სქემებს, რომელთა სრულად დატენვას რამდენიმე საათი სჭირდება. მაღალი სიმძლავრის გამოყენება (როგორიცაა 30 კვტ და მეტი) ელექტრო მანქანების სწრაფი დატენვის განსახორციელებლად გახდა დამტენის წყობის შემდეგი მნიშვნელოვანი განლაგების მიმართულება. მიუხედავად მაღალი სიმძლავრის დამტენის წყობის უპირატესობებისა, მას ასევე მოაქვს მრავალი გამოწვევა, როგორიცაა: მაღალი სიმძლავრის მაღალი სიხშირის გადართვის ოპერაციების განხორციელების აუცილებლობა და კონვერტაციის დანაკარგებით წარმოქმნილი სითბო. თუმცა, SiC MOSFET-ს და დიოდურ პროდუქტებს აქვთ მაღალი ძაბვის წინააღმდეგობის, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობის და სწრაფი გადართვის სიხშირის მახასიათებლები, რაც შეიძლება კარგად იქნას გამოყენებული წყობის მოდულების დატენვისას. ტრადიციულ სილიკონზე დაფუძნებულ მოწყობილობებთან შედარებით, სილიციუმის კარბიდის მოდულებს შეუძლიათ გაზარდონ დამტენი წყობის გამომავალი სიმძლავრე თითქმის 30%-ით და შეამცირონ დანაკარგები 50%-მდე. ამავდროულად, სილიციუმის კარბიდის მოწყობილობებს ასევე შეუძლიათ გააძლიერონ დამუხტვის წყობის სტაბილურობა. წყობის დატენვისთვის, ღირებულება კვლავ განვითარების შეზღუდვის ერთ-ერთი მნიშვნელოვანი ფაქტორია, ამიტომ დამტენი წყობის სიმძლავრე ძალიან მნიშვნელოვანია და SiC მოწყობილობები არის მაღალი სიმძლავრის მიღწევის გასაღები. როგორც მაღალი ძაბვის, მაღალსიჩქარიანი და მაღალი დენის მოწყობილობა, სილიციუმის კარბიდის მოწყობილობები ამარტივებს DC წყობის დამტენის მოდულის მიკროსქემის სტრუქტურას, ზრდის ერთეულის სიმძლავრის დონეს და მნიშვნელოვნად ზრდის სიმძლავრის სიმკვრივეს, რაც გზას უხსნის სიმძლავრის შემცირებას. დამტენის წყობის სისტემის ღირებულება. გრძელვადიანი ღირებულებისა და გამოყენების ეფექტურობის პერსპექტივიდან გამომდინარე, მაღალი სიმძლავრის დამტენი წყობები SiC მოწყობილობების გამოყენებით უზარმაზარ ბაზრის შესაძლებლობებს შექმნის. CITIC Securities-ის მონაცემებით, დღეისათვის, სილიციუმის კარბიდის მოწყობილობების შეღწევადობის მაჩვენებელი ახალი ენერგეტიკული მანქანების დამუხტვის წყობებში არის მხოლოდ დაახლოებით 10%, რაც ასევე ტოვებს ფართო სივრცეს მაღალი სიმძლავრის დამუხტვის წყობისთვის. როგორც წამყვანი მიმწოდებელი DC დამტენის ინდუსტრიაში, MIDA Power-მა შეიმუშავა და გამოუშვა დამტენის მოდულის პროდუქტი უმაღლესი სიმძლავრის სიმკვრივით, პირველი IP65 დაცვის დონის დამუხტვის მოდული დამოუკიდებელი საჰაერო მილების ტექნოლოგიით. ძლიერი R&D გუნდით და ბაზარზე ორიენტირებული პრინციპით, MIDA Power-მა დიდი ძალისხმევა დახარჯა და წარმატებით შეიმუშავა 40 კვტ SiC მაღალი ეფექტურობის დატენვის მოდული. თვალწარმტაცი პიკური ეფექტურობით 97%-ზე მეტი და სუპერ ფართო შეყვანის ძაბვის დიაპაზონი 150VDC-დან 1000VDC-მდე, 40kW SiC დამტენის მოდული აკმაყოფილებს მსოფლიოს თითქმის ყველა შეყვანის სტანდარტს, ხოლო ენერგია მკვეთრად დაზოგავს. დამტენი წყობის რაოდენობის სწრაფი ზრდით, მიჩნეულია, რომ SiC MOSFET-ები და MIDA Power 40kW SiC დამუხტვის მოდული უფრო და უფრო ხშირად გამოიყენებენ დამუხტვის წყობაში, რომელიც მომავალში საჭიროებს ენერგიის მაღალ სიმკვრივეს.