40 կՎտ SiC բարձր արդյունավետությամբ DC EV լիցքավորման մոդուլ

SiC բարձր արդյունավետության լիցքավորման մոդուլը մեծ պոտենցիալ է, քանի որ բարձր լարման արագ լիցքավորման պահանջարկը մեծանում է 2019 թվականի սեպտեմբերին Porsche-ի կողմից 800 Վ բարձր լարման պլատֆորմի Taycan մոդելի համաշխարհային պրեմիերայից հետո, էլեկտրաէներգիայի մեծ ընկերությունները թողարկել են 800 Վ բարձր լարման արագ լիցքավորման մոդելներ, ինչպիսիք են Hyundai IONIQ, Lotus Eletre, BYD Dolphin, Audi RS e-tron GT և այլն: Բոլորը առաքվում են կամ ունեն զանգվածային արտադրություն այս երկու տարվա ընթացքում: 800 Վ արագ լիցքավորումը դառնում է հիմնական շուկայում; CITIC Securities-ը կանխատեսում է, որ մինչև 2025 թվականը բարձր լարման արագ լիցքավորման մոդելների թիվը կհասնի 5,18 միլիոնի, իսկ ներթափանցման մակարդակը ներկայիս 10%-ից փոքր-ինչ ավելի քան 34%: Սա կդառնա հիմնական շարժիչ ուժը բարձր լարման արագ լիցքավորման շուկայի աճի համար, և ակնկալվում է, որ վերին հոսքի ընկերությունները ուղղակիորեն կշահեն դրանից: Ըստ հանրային տեղեկատվության՝ լիցքավորման մոդուլը լիցքավորման կույտի հիմնական բաղադրիչն է, որը կազմում է լիցքավորման կույտի ընդհանուր արժեքի մոտ 50%-ը. Դրանցից կիսահաղորդչային էներգիայի սարքը կազմում է լիցքավորման մոդուլի արժեքի 30%-ը, այսինքն՝ կիսահաղորդչային էներգիայի մոդուլը կազմում է լիցքավորման կույտի արժեքի մոտ 15%-ը, կդառնա հիմնական շահառու շղթան լիցքավորման կույտի շուկայի զարգացման գործընթացում։ . Ներկայումս լիցքավորման կույտերում օգտագործվող ուժային սարքերը հիմնականում IGBT-ներն ու MOSFET-երն են, որոնք երկուսն էլ Si-ի վրա հիմնված արտադրանք են, և լիցքավորման կույտերի զարգացումը դեպի DC արագ լիցքավորում ավելի բարձր պահանջներ է առաջացրել էներգիայի սարքերի համար: Ավտոմեքենաների լիցքավորումը նույնքան արագ, որքան բենզալցակայանում լիցքավորելը, ավտոարտադրողները ակտիվորեն փնտրում են նյութեր, որոնք կարող են բարելավել արդյունավետությունը, և սիլիցիումի կարբիդը ներկայումս առաջատարն է: Սիլիցիումի կարբիդն ունի բարձր ջերմաստիճանի դիմադրության, բարձր ճնշման դիմադրության, բարձր հզորության և այլնի առավելությունները, որոնք կարող են բարելավել էներգիայի փոխակերպման արդյունավետությունը և նվազեցնել արտադրանքի ծավալը: Էլեկտրական մեքենաների մեծամասնությունը օգտագործում է ներկառուցված հոսանքի լիցքավորման սխեմաներ, որոնք լիովին լիցքավորվելու համար պետք է տևեն մի քանի ժամ: Էլեկտրական մեքենաների արագ լիցքավորումն իրականացնելու համար բարձր հզորության օգտագործումը (օրինակ՝ 30 կՎտ և ավելի), դարձել է լիցքավորման կույտերի հաջորդ կարևոր դասավորության ուղղությունը: Չնայած բարձր էներգիայի լիցքավորման կույտերի առավելություններին, այն նաև բերում է բազմաթիվ մարտահրավերների, ինչպիսիք են՝ բարձր էներգիայի բարձր հաճախականության միացման գործողություններ իրականացնելու անհրաժեշտությունը և փոխակերպման կորուստներից առաջացած ջերմությունը: Այնուամենայնիվ, SiC MOSFET-ը և դիոդային արտադրանքներն ունեն բարձր լարման դիմադրության, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրության և արագ միացման հաճախականության բնութագրեր, որոնք կարող են լավ օգտագործվել կույտային մոդուլների լիցքավորման մեջ: Սիլիցիումի վրա հիմնված ավանդական սարքերի համեմատ՝ սիլիցիումի կարբիդային մոդուլները կարող են մեծացնել լիցքավորման կույտերի ելքային հզորությունը մոտ 30%-ով և նվազեցնել կորուստները մինչև 50%-ով։ Միևնույն ժամանակ, սիլիցիումի կարբիդային սարքերը կարող են նաև բարձրացնել լիցքավորման կույտերի կայունությունը: Կույտերի լիցքավորման համար արժեքը դեռևս զարգացումը սահմանափակող կարևոր գործոններից մեկն է, ուստի լիցքավորման կույտերի հզորության խտությունը շատ կարևոր է, և SiC սարքերը մեծ էներգիայի խտության հասնելու բանալին են: Որպես բարձր լարման, բարձր արագությամբ և բարձր հոսանքի սարք՝ սիլիցիումի կարբիդային սարքերը պարզեցնում են DC կույտի լիցքավորման մոդուլի միացման կառուցվածքը, մեծացնում են միավորի հզորության մակարդակը և զգալիորեն մեծացնում էներգիայի խտությունը, ինչը ճանապարհ է հարթում նվազեցնելու համար։ լիցքավորման կույտի համակարգի արժեքը: Երկարաժամկետ ծախսերի և օգտագործման արդյունավետության տեսանկյունից՝ SiC սարքերի օգտագործմամբ բարձր էներգիայի լիցքավորման կույտերը շուկայի հսկայական հնարավորություններ կստեղծեն: Համաձայն CITIC Securities-ի տվյալների՝ ներկայումս նոր էներգիայի մեքենաների լիցքավորման կույտերում սիլիցիումի կարբիդային սարքերի ներթափանցման արագությունը կազմում է ընդամենը մոտ 10%, ինչը նաև լայն տարածություն է թողնում բարձր հզորության լիցքավորման կույտերի համար: Որպես DC լիցքավորման ոլորտում առաջատար մատակարար՝ MIDA Power-ը մշակել և թողարկել է ամենաբարձր հզորության խտությամբ լիցքավորման մոդուլի արտադրանքը՝ IP65 պաշտպանության մակարդակի լիցքավորման առաջին մոդուլը՝ անկախ օդատար խողովակի տեխնոլոգիայով: Ունենալով գիտահետազոտական ​​և զարգացման ուժեղ թիմ և շուկայական կողմնորոշված ​​սկզբունք՝ MIDA Power-ը մեծ ջանքեր է գործադրել և հաջողությամբ մշակել է 40 կՎտ հզորությամբ SiC բարձր արդյունավետությամբ լիցքավորման մոդուլը: Ավելի քան 97% շունչ քաշող առավելագույն արդյունավետությամբ և 150VDC-ից մինչև 1000VDC ներածման գերլայն լարման միջակայքով, 40 կՎտ հզորությամբ SiC լիցքավորման մոդուլը համապատասխանում է աշխարհի գրեթե բոլոր մուտքային ստանդարտներին, մինչդեռ այն զգալիորեն խնայում է էներգիան: Լիցքավորման կույտերի քանակի արագ աճով, ենթադրվում է, որ SiC MOSFET-ները և MIDA Power 40 կՎտ SiC լիցքավորման մոդուլը ավելի ու ավելի հաճախ կօգտագործվեն լիցքավորման կույտերում, որոնք ապագայում պահանջում են ավելի մեծ էներգիայի խտություն: